سامسونگ، یکی از بزرگترین شرکتهای تولید کننده تراشه در جهان، برنامه دارد تا تراشههای ۲ نانومتری را از سال ۲۰۲۵ و تراشههای ۱٫۴ نانومتری را از سال ۲۰۲۷ تولید کند. این اعلام در نمایشگاه SFF 2024 در ایالات متحده توسط سامسونگ فاندری، زیرمجموعهی سامسونگ الکترونیکس، انجام شد.
در این نمایشگاه، سامسونگ دو نود پیشرفتهی جدید SF2Z و SF4U را معرفی کرد. این شرکت قصد دارد تا نسل اول فرایند ۲ نانومتری با نام SF2 را در سال ۲۰۲۵ و نسخهی بهبودیافتهی فرآیند ۲ نانومتری با نام SF2P را در سال ۲۰۲۶ تولید کند.
در دنیای تراشه، نانومتر به لیتوگرافی یا فاصلهی بین ترانزیستورها اشاره دارد. هرچه این عدد کوچکتر باشد، تراشه قویتر و کممصرفتر خواهد بود.
سامسونگ نسخهی ویژهای از نوپد ۲ نانومتری SF2X را برای تراشههای هوش مصنوعی و محاسبات پیشرفته (HPC و سرورها) طراحی کرده است. همچنین SF2Z، فرآیند ۲ نانومتری نسل چهارم سامسونگ، از فناوری پیشرفتهی انتقال انرژی (BSPDN یا Backside Power Delivery Network) برای بهرهوری در انرژی و دما استفاده میکند.
سامسونگ قصد دارد تا نسخهی دیگری از لیتوگرافی ۲ نانومتری SF2A را با معماری ترانزیستور GAA (یا Gate All Around) در سال ۲۰۲۷ برای خودروها تولید کند. GAA نخستینبار با فرآیند ۳ نانومتری سامسونگ معرفی شد.
سامسونگ در نیمهی دوم سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشههای ۳ نانومتری SF3E خود را آغاز کرد، اما این تراشهها تنها برای استخراج ارزهای دیجیتال قابل استفاده بودند. حالا نسل دوم تراشههای ۳ نانومتری با نام SF3 آمادهی تولید انبوه است و گزارشها نشان میدهد که اگزینوس W1000 از این فناوری استفاده خواهد کرد.
سیونگچوی، رئیس سامسونگ فاندری، در این مراسم گفت: «هرچه هوش مصنوعی قدرتمندتر میشود، برای انجام پردازشهایش به پردازندههای قدرتمندتر و کممصرفتری نیاز خواهیم داشت. ما قصد داریم در کنار فرایند GAA که برای تراشههای هوش مصنوعی بهینه شده، فناوری اپتیک یکپارچه (CPO) را برای پردازش دادههای پرسرعت و کممصرف معرفی کنیم و به مشتریانی که به پیشرفت نیاز دارند، راهکارهای یک مرحلهای ارائه کنیم.»